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NXP Semiconductors
PESDxL5UF/V/Y
Low capacitance unidirectional ?vefold ESD protection diode arrays
Table 9. Characteristics …continued
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
C d
diode capacitance
f = 1 MHz;
V R = 0 V
PESD3V3L5UF
-
22
28
pF
PESD3V3L5UV
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UF
-
16
19
pF
PESD5V0L5UV
PESD5V0L5UY
V CL
clamping voltage
[1][2]
PESD3V3L5UF
I PP = 1 A
-
-
10
V
PESD3V3L5UV
PESD3V3L5UY
PESD3V3L5UF
I PP = 2.5 A
-
-
12
V
PESD3V3L5UV
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UF
I PP = 1 A
-
-
10
V
PESD5V0L5UV
PESD5V0L5UY
PESD5V0L5UF
I PP = 2.5 A
-
-
12
V
PESD5V0L5UV
PESD5V0L5UY
r dif
differential resistance
I R = 1 mA
PESD3V3L5UF
-
-
200
?
PESD3V3L5UV
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UF
-
-
100
?
PESD5V0L5UV
PESD5V0L5UY
PESDXL5UF_V_Y_2
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1, 3, 4, 5 or 6 to pin 2.
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 8 January 2008
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